< Part Eighteen>

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 萩原の1975年出願の基本特許と1978年の学会発表は
    世界最初の Pinned Photodiodeの考案です。
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Image Sensorは感度が命である。感度はS/N決まる。

CCD型電荷転送装置は長い間超低CLOCK配線CkT雑音
素子として貢献しImage Sensor の発展に寄与してきた。

しかしCMOSプロセスの微細化によりImage Sensor
の限られて単位絵素面積にもMOS Transistor 回路
が組み込める時代となり絵素ごとに in pixel active
Source follower amp 回路が組み込め、CMOS型電荷
転送装置がCCD型電荷転送装置より消費電力と実行
的な電荷転送効率でも有利となりCCD型電荷転送装置
はもはや Image Sensor の主要部品の座から降りる
事になった。

しかし、萩原が1975年に考案した Pinned Photodiode、
PNP接合トランジスタ型の受光素子はCCDの時代から
現在のCMOS Image Sensorでも、超感度低暗電流
雑音特性を持ち、さらに残像のない特性を発揮し
高速撮影やアクション撮影を可能にするVOD機能や
電子shutter機能も萩原の1975年の発明である。

さらに萩原は3次元構造に不可欠な裏面型のImage
Sensorを1975年にすでに考案した。またそれだけ
でなく、CMOSに不可欠な GLOBAL SHUTTER機能
用のMOS容量型 in pixel buffer memoryも各
絵素に組み込みことを1975年の特許で考案した。

その1975年の萩原のアイデアのPNP接合型
受光素子の動作は1978年の原理試作で実証
確認された。それが今のImage Sensorの原型
Mother となった。

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●1975年に出願して3件の PNP接合 double juncton 型の
 Pinned Photodiodeの受光素子の基本特許です。


 JPA 1975-127646, JPA 1975-127647 and JPA 1975-134985

●SSDM1978で発表したもので、 PNP接合 double juncton 型の
 Pinned Photodiodeの受光素子の世界最初の Original 論文です。

"A 380H x 488V CCD Imager with Narrow Channel Transfer Gates"
Proceeding of the 10th Conference on Solid State Devices, Tokyo 1978;
Japanese Journal of Applied Physics, Vol 18 (1979) Supplement 18-1,pp.335-340

●10月の論文は萩原の1975年の発明は裏面照射型で
3次元集積回路の適した受光素子構造である事を強調
した論文でした。

“Multichip CMOS Image Sensor Structure for Flash Image Acquisition”

at the IEEE sponsored 3DIC2019 conference at Sendai Japan in October 2019.

http://www.aiplab.com/P2019_3DIC2019Paper_on_3D_Pinned_Photodiode.pdf 
    
●またこの3月の論文はご存知の様に半導体生産技術の
国際会議で従来のPinned Photodiode(別名 SONYの
HAD)は 受光構造が P+NP接合ではなく、実際は
表面イオン打ち込みによるガウス関数分布となり実質
はP+P表面濃度勾配をもち、このP+P濃度勾配に
よりバリア電界が表面での青色感度の向上に寄与する
ことを説明しました。

“Simulation and Device Characterization of the P+PN+P Junction Type
Pinned Photodiode and Schottky Barrier Photodiode “,

http://www.aiplab.com/P2020_EDTM2020_PaperID_3C4_by_Hagiwara.pdf


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Hagiwara Publication List
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What is Pinned Photodiode ?

Study Special Relativity Theory

What is Abura Wake Zan ?

Study Korean for Your Enjoyment

Enjoy C-programming.

IEEE_EDS_Kansai_Chapter_IMFEDK2006_Hagiwara.pdf

DRAM_SRAM_Technology_and_Problems_1998_07_29_Hagiwara

Pinned_Photodiode_must_have_a_heavy_doped_Channel_Stops

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hagiwara-yoshiaki@aiplab.com ( http://www.aiplab.com/ )

hagiwara@ssis.or.jp ( http://www.ssis.or.jp/en/index.html )

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