< Part Sixteen>

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     垂直 Overflow Drain (VOD) 機能を持つ受光素子 の発明
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     <日本国特許  1975-134985 > 萩原良昭

N型基板のPウエルにPN接合フォトダイオードを形成し、N層直下のP層を
空乏化(パンチスルー状態)にすることで、過剰電子をN層からN型基板に
すべて掃き出す、縦型オーバーフロードレイン(VOD)機能を持つ構造を
萩原は、世界で初めて、考案発明した。< 特許1975-127647 >

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***** 残像のない受光素子 (Pinned Photodiode) の発明 *****

<日本国特許  1975-127647 > 萩原良昭

電荷転送装置(CTD)からなる、外部回路への転送ゲートの電位の関係を
萩原は、世界で初めて、特許 1975-127647 で、空乏化したN層の電位
を転送ゲートのチャネル電位より所要値以上に高く保ち、信号電荷を、
完全に空乏化電荷転送して、残像の発生しない、動作原理を明示した。

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****** Global Shutter 機能を持つ受光素子 の発明 ********

  <日本国特許  1975-127646, 1975-127647 > 萩原良昭

萩原は、世界で初めて、立体三次元構造に適した、裏面照射型の受光素子、
であり、埋め込み型のPhotodiode でもあり、かつ、Pinned Photodiodeでも
ある超感度超高性能な受光素子を1975年に既に発明していた。その構造は、
現在の CMOS Image Sensor には不可欠な、Global Shutter 用のMOS 型 
のBuffer Memoryを各絵素に組み込んだ、優れた性能を持つ受光素子である。

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Hagiwara Publication List
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What is Pinned Photodiode ?

Study Special Relativity Theory

What is Abura Wake Zan ?

Study Korean for Your Enjoyment

Enjoy C-programming.

IEEE_EDS_Kansai_Chapter_IMFEDK2006_Hagiwara.pdf

DRAM_SRAM_Technology_and_Problems_1998_07_29_Hagiwara

Pinned_Photodiode_must_have_a_heavy_doped_Channel_Stops

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