< Part Six>

Pinned Photodiodeは必ず表面のP+がピン止めされている
固定電圧に固定される必要があります。そばに濃いP+の
完全に空乏化しない Channel Stops領域がないと埋め込み
N層の空乏層領域がぐるっと表面のP+層を包み込んで最終
的に表面のP+の空乏層が基板のP領域と電気的に分離
されて浮遊状態になる可能性があり動作が不安定となります。

古典的な N+P接合型の場合は、N+領域が浮遊状態と
なり、残像が生じるのが大問題でした。

Pinned Photodiodeは必ず表面のP+がピン止めされている
固定電圧に固定される必要があります。固定されていないと
浮遊状態となり電荷が完全に埋め込みN層から隣接する
電荷転送電極(CTG)からは電荷が完全に吸い取ることは
不可能です。必ず残像が生じることになります。

また、表面のP+が固定されていないので表面に電界が
生じて暗電流が発生します。



太陽電池の場合は、この暗電流も、実際には、むしろ、反対に
熱エネルギ(kT)を電気に変換してくれるもので悪さはしません。

しかし、Image Sensorではこの暗電流は雑音として
観察され、暗い画面はすりガラスを通して見るような
映像になり、たいへん見苦しい画面となります。

世界ではじめてPNP接合トランジスタ型のPinned Photodiode
を発明したのは萩原です。1975年の発明です。

萩原はまた、世界ではじめて、PNP接合トランジスタ型のPinned
Photodiodeの原理試作に成功しています。その構造には必ず
濃いP+の Channel Stops 領域が 絵素内に隣接して形成されて
います。P+層の近傍に P+ Channel Stops領域が存在する事
はこの Pinned Photodiodeが正常に安定して動作するために
は不可欠です。そばに P+ Channel Stopsが存在しないのは
本当の意味では Pinned Photodiodeと呼ぶことはできません。











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Hagiwara Publication List
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What is Pinned Photodiode ?

Study Special Relativity Theory

What is Abura Wake Zan ?

Study Korean for Your Enjoyment

Enjoy C-programming.

IEEE_EDS_Kansai_Chapter_IMFEDK2006_Hagiwara.pdf

DRAM_SRAM_Technology_and_Problems_1998_07_29_Hagiwara

Pinned_Photodiode_must_have_a_heavy_doped_Channel_Stops

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