< Part Three >




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  萩原の1975年の発明は、基板(Nsub)にP+NP接合トランジスタ型の
 受光素子を形成するという発明でした。結果としてP+NPNsub接合型
 のサイリスタ構造となります。実際はは、表面が P+P型の濃度勾配
 を持つ、 Hole Accumulation Diode (HAD) 構造の提案でした。
 
 (1) まず、最高の短波長青色光の感度、超光感度の特長を持ちます。
   
   Image Sensorが 超感度なのは この受光素子構造だからです。

 (2)表面が P+層でピンとめされた Pinned Photodiodeです。

   表面電圧が固定され、シリコン結晶内は安定した動作が可能です。

   みなさんが 車の中にいても、大雨で雷が鳴っていても安全ですね。
   このP+で表面や周辺がピン止めされ、GNDに接地されると、
   このP+NP型の受光部 N 層が守られ、表面暗電流雑音や
   リーク電流がすくなくて、雑音の少ない,、きれいな映像を提供します。

 (3) 電荷蓄積部は 埋め込み N 層なり、埋込み電荷蓄積部の中
   の光電子は、隣接する電荷転送装置(CTD)に完全空乏化電荷
   転送されます。すなわち、光電子の取り残しのない形で完全に
   光電子が全部最後の1個まで転送されます。その結果、映像
   には残像がありません。高速アクション撮影が可能となります。

 (4) さらに、この発明は 結果として、 NPNP接合のサイリスタ―
   構造型の受光素子ですので、いろいろな、NPNPサイリスタ―
   としての動作は、NPNとPNPトランジスタの動作も、NP型の
   ダイオードや PN型のダイオードの動作まで、期待できます。










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What is Pinned Photodiode ?

Study Special Relativity Theory

What is Abura Wake Zan ?

Study Korean for Your Enjoyment

Enjoy C-programming.

IEEE_EDS_Kansai_Chapter_IMFEDK2006_Hagiwara.pdf

DRAM_SRAM_Technology_and_Problems_1998_07_29_Hagiwara

Pinned_Photodiode_must_have_a_heavy_doped_Channel_Stops

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