Slide_2020_07_02 by Yoshiaki Daimon Hagiwara




http://www.aiplab.com/Slide_Sony_Atsugi_Tech_2020_07_10.html

Slide 001 ~Slide 119 まであります。

これから Slideの説明文を用意します。

来週の水曜日には準備できると思いますので、
聴講する方は事前に復習して、質問を1つ用意
してください。講義の間に、居眠り防止用に
聴講者に質問を聞きたいと思っています。。。

予習してください、これは大学の授業の延長です(笑顔)。。。


本社知財をはじめIR関係者の皆さんに協力いただき

下記URLにてソニー/SSS連名で公開いたしました。

和文:積層型多機能CMOSイメージセンサーを支える
   代表的なソニー発明について

https://www.sony.co.jp/SonyInfo/News/notice/20200626/

英文:Sony's Representative Inventions Supporting Stacked
   Multi-Functional CMOS Image Sensors

https://www.sony.net/SonyInfo/News/notice/20200626/

その根源は萩原の1975年のPPDの発明にあります。














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PPDの原型は1975年に萩原が発明しました。

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●裏面照射型でGLOBAL SHUTTER機能が付いた

N+NP+NP接合型PPD (JP1975-127646)

●裏面照射型でGLOBAL SHUTTER機能が付いた

N+NP+N接合型PPD (JP1975-127647)

●In Pixel 縦型Overflow DRAIN(VOD)機付きの

PNPN接合型PPDの(JP1975-134985)の

3つの特許を萩原は出願した。

●1978年にSSDM1978で論文発表したが、その中で世界で初めて、
萩原は、近傍に濃いP+ Channel Stops領域が形成された、
P+NP接合型のPPDを FTCCDに採用した原理試作を論文発表した。

萩原のこのPPDの発明と開発が原型となり、その世界的な開発の
起爆剤となました。

その後、萩原の発明開発したPPDは すでに 萩原の1975年の
特許の中でも、ILT CCDも採用できることを明示していましたが
1982年になり、SONYの1978年の試作発表に追従して各社から
はじめて ILT CCD にも採用されるようになりました。

NECのIEDM1982の埋込みPhotodiodeの発なり、続いて、
KODAKのIEDM1984の Pinned Photodiodeの発が続き、
SONYも、1987年には、HADの開発商品化が実現しました。

そして今では CMOS Image Sensorにも 萩原の
1975年発明のPPDは採用されることになりました。

そして、さらに、積層型の3次元デバイスにも採用され
今もその有効性が証明されています。

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また受光部の埋込みN層は、受光部表面近傍でな、
その埋込みN層の濃度のピーク位置がシリコン表面から
遠くはなれている必要性を明示したのが萩原考案の
特許1975-134985の図6にも明示されています。

図6では、Collector部分の幅がわざと広く図示されており、
表面から埋込みN層がかなり離れている事を明示しています。

http://www.aiplab.com/image7.jpg



世界はPPDは P+NP接合型と理解していますが、
実際は、生産性を向上するために、P+PN+P接合
型のPPDとなっています。これがSONYのKNOWHOW
として長い間継承されてきました。

http://www.aiplab.com/Difference_of_Pinned_Photodiode_and_Buiried_Photodiode_1.jpg



そのことを下記の2つの論文で詳細に説明しています。


http://www.aiplab.com/P2019_3DIC2019Paper_on_3D_Pinned_Photodiode.pdf

http://www.aiplab.com/P2020_EDTM2020_PaperID_3C4_by_Hagiwara.pdf


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hagiwara-yoshiaki@aiplab.com ( http://www.aiplab.com/ )

hagiwara@ssis.or.jp ( http://www.ssis.or.jp/en/index.html )

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